[发明专利]硅碳复合材料及其制备方法有效
申请号: | 201510459248.9 | 申请日: | 2015-07-30 |
公开(公告)号: | CN105140477B | 公开(公告)日: | 2018-02-02 |
发明(设计)人: | 郭再萍;刘建文;刘伟;冯传启 | 申请(专利权)人: | 湖北大学 |
主分类号: | H01M4/36 | 分类号: | H01M4/36;H01M4/38;H01M4/587;H01M4/62;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 武汉河山金堂专利事务所(普通合伙)42212 | 代理人: | 胡清堂 |
地址: | 430062 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了一种硅碳复合材料及其制备方法。采用纳米硅粉颗粒作为硅基底,并制备出Si‑C多孔核壳复合材料,可以充分发挥硅与碳的协同效应,硅材料的电化学容量高,而碳材料的导电性高,柔韧的碳材料可吸收应力,缓冲硅的体积效应,同时稳固的核壳结构可以维持材料的稳定性;多孔结构可增加硅颗粒与电解液的接触面积,改善其与电解液的相容性;三层核壳结构材料分散于石墨烯材料中,可进一步提高材料的电导率,改善电极材料的容量性能和循环寿命。 | ||
搜索关键词: | 复合材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种硅碳复合材料,其包括纳米硅颗粒,包覆在纳米硅颗粒表面的碳层,以及包覆在所述碳层表面的导电聚合物层,所述纳米硅颗粒、碳层、导电聚合物层共同形成三层核壳结构,所述纳米硅颗粒粒径为50~200nm,碳层厚度为10~50nm,导电聚合物层厚度为20~50nm;还包括石墨烯,所述三层核壳结构材料与石墨烯按照质量比10~20:1混合;所述导电聚合物包括聚吡咯,聚苯胺和聚噻吩。
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