[发明专利]一种集成电路芯片反向工程的定位方法

摘要

本发明提出一种集成电路芯片反向工程的定位方法，找到目标器件，通过FIB的离子束从样品正面切割开口，从开口区域进入样品去除其内部层次，直到器件特征尺寸的可量测层，然后进行量测确认，其特征在于根据红外光学显微镜对样品背面拍摄的照片确定目标器件的位置。本发明还提出一种利用上述定位方法实施的集成电路芯片反向工程的定点。采用本发明的定位和制样方法，不仅使反向工程的特定目标器件量测和分析摆脱了原形样品数量的限制，而且样品的受创面也大大减小。本发明方法提升了反向工程样品分析的速度，可以在一个样品上同时完成不同目标器件的定位、分析，进一步在原型样品数量有限的情况下，提升了反向工程分析的成功率。

主权项

1.一种集成电路芯片反向工程的定位方法，其特征在于，红外光学显微镜拍摄的样品的背面照片能够显示样品前段各层次的图像，根据上述图像中有源区AA的图像，可以确定目标器件的位置，针对上述确定的目标器件的位置，通过FIB的离子束从样品正面切割开口，通过离子束轰击的方式从开口区域进入样品去除其内部层次，其中，内部层次包含保护层、多层金属、介于不同金属层之间的以及介于金属与栅极之间非导电介质和金属连接孔，直到器件特征尺寸的可量测层，然后进行量测确认是否为目标器件。