[发明专利]一种高质量栅极氧化层形成方法

摘要

本发明提出一种高质量栅极氧化层的形成方法，该方法包括：提供已经完成浅沟槽隔离工艺的晶圆，将晶圆置于SiCoNi反应腔以去除硅表面的原生氧化硅层，SiCoNi刻蚀反应过程中会在晶圆表面形成(NH4)2SiF6；在常温中，(NH4)2SiF6层将不会在SiCoNi反应腔中去除，而是将其保留以作为晶圆表面的保护层，以避免硅暴露再次形成原生氧化层；随后，将该晶圆置于氧化炉中，晶圆进入氧化炉之后，(NH4)2SiF6保护层在氧化炉升温过程中下分解挥发，如果继续升高氧化炉最高工艺温度至生长栅极氧化硅层所需的温度和工艺条件，开始栅极氧化硅层。因此，本发明提出的技术解决方法，能够避免栅极氧化硅形成之前的晶圆表面再一次形成原生氧化硅，提高栅极氧化层的质量，有利于产品性能的提高。

主权项

1.一种高质量栅极氧化层形成方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：提供已形成浅沟槽隔离的晶圆，其中，所述晶圆的硅表面存在衬垫氧化层残余或者原生氧化硅层；步骤S2：采用湿法或采用SiCoN干刻工艺在反应腔中对所述晶圆表面的衬垫氧化层残余或者原生氧化硅层进行刻蚀，刻蚀过程完成后在所述的晶圆表面形成有六氟硅酸氨副产品层；步骤S3：将表面形成有所述六氟硅酸氨副产品层的所述晶圆在常温下置于热氧化炉的反应腔中，所述晶圆进入热氧化炉的反应腔之后，逐步升高温度，当温度高于100℃时，在预定的温度时间段，保留预定的时间，以使所述六氟硅酸氨层转变为气态分解挥发；其中，所述预定的时间为去除这层氧化硅之后到生长栅极氧化层之间这段时间；步骤S4：随后继续升高氧化炉最高工艺温度至生长栅极氧化硅层所需的温度和工艺条件，开始生长栅极氧化硅层。