[发明专利]一种避免在形成金属硅化物工艺中接触孔尺寸偏移的方法

摘要

本发明提出一种避免在形成金属硅化物工艺中接触孔尺寸偏移的方法，其包括：提供已经形成接触通孔的晶圆，进行SiCoNi预清洗之后再进行金属镍沉积，然后进行两次退火以形成镍硅化物，用湿法清除残余金属之后，用原子层氧化硅沉积方法在接触通孔里沉积一定厚度的氧化硅，以补偿在SiCoNi预清洗过程中损失的侧壁氧化硅，避免接触孔因为侧壁氧化硅损失导致尺寸扩大，最后再完成阻挡层和金属钨填充工艺。因此，本发明提出的技术方法，能够很好地解决后形成金属硅化物工艺中接触孔偏移的问题，避免电性能偏移和器件失效。

主权项

1.一种避免在形成金属硅化物工艺中接触孔尺寸偏移的方法，所述形成金属硅化物工艺在HKMG结构完成之后进行；其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤S1：采用干法刻蚀晶圆形成图案化后的源漏区的接触通孔；在所述接触通孔上沉积一层金属镍层；步骤S2：对所述金属镍层进行退火以形成镍硅化物，并采用湿法清除所述金属镍层中没有反应的多余金属镍；步骤S3：用原子层沉积的方式生长氧化硅层，从而调整所述接触通孔的尺寸；所述氧化硅层的厚度是根据SiCoNi预清洗过程中损耗的通孔侧壁的原生氧化硅量来确定；步骤S4：沉积形成阻挡层和黏附层，采用化学气相沉积的方式在所述接触通孔进行金属钨填充；步骤S5：形成栅极接触，然后，进入后段互连工艺流程。