[发明专利]一种一维氮化硅纳米粉体及其制备方法有效
| 申请号： | 201510459467.7 | 申请日： | 2015-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105036097B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 梁峰;张海军;张少伟;鲁礼林;李发亮;段红娟;刘江昊 | 申请（专利权）人： | 武汉科技大学 |
| 主分类号： | C01B21/068 | 分类号： | C01B21/068;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 武汉科皓知识产权代理事务所(特殊普通合伙)42222 | 代理人： | 张火春 |
| 地址： | 430081 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种一维氮化硅纳米粉体及其制备方法。其技术方案是将90～99wt％的单质硅粉和1～10wt％的铬粉混合均匀，在压力为20～60MPa条件下压制成型；再将成型后的坯体置入管式电阻炉内，在氮气气氛中以2～10℃/min的速率升温至1200～1400℃，保温2～8小时，即得一维氮化硅纳米粉体。其中所述单质硅粉中的Si含量≥95wt％，粒径≤88μm；所述铬粉中的Cr含量≥95wt％，粒径≤10μm。本发明具有反应温度低、成本低、合成工艺简单、产物形貌易于控制和产率高的特点；所制备的一维氮化硅纳米粉体呈晶须状、直径分布均匀和长径比大。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种一维氮化硅纳米粉体的制备方法，其特征在于将90～99wt％的单质硅粉和1～10wt％的铬粉混合均匀，在压力为20～60MPa条件下压制成型；再将成型后的坯体置入管式电阻炉内，在氮气气氛中以2～10℃/min的速率升温至1200～1400℃，保温2～8小时，即得一维氮化硅纳米粉体。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉科技大学，未经武汉科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510459467.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种聚能型超声波加湿器
- 下一篇：一种全工况变频无霜除湿机
