[发明专利]一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示装置在审
申请号: | 201510459872.9 | 申请日: | 2015-07-30 |
公开(公告)号: | CN105161496A | 公开(公告)日: | 2015-12-16 |
发明(设计)人: | 石磊 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/08;H01L29/423;G02F1/1368;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法、显示装置,涉及显示技术领域,能够避免TFT结构受光照而引起的漏电流增大的问题,提高TFT结构的稳定性。该薄膜晶体管阵列基板包括基板,设置于基板上的有源层,有源层包括未掺杂区、轻掺杂区、源极区和漏极区,轻掺杂区设置于未掺杂区的两侧,源极区和漏极区设置于轻掺杂区未与未掺杂区接触的一侧,设置于有源层上的第一绝缘层,设置于第一绝缘层上的第一栅极,设置于第一栅极上的第二绝缘层,设置于源极区上方、且贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的源极,设置于漏极区上方、且贯穿第一绝缘层和第二绝缘层的漏极;设置于第二绝缘层上的第一遮光层,第一遮光层覆盖未掺杂区与漏极区之间的轻掺杂区。 | ||
搜索关键词: | 一种 薄膜晶体管 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种薄膜晶体管阵列基板,包括基板,设置于所述基板上的有源层,所述有源层包括未掺杂区、轻掺杂区、源极区和漏极区,所述轻掺杂区设置于所述未掺杂区的两侧,所述源极区和所述漏极区设置于所述轻掺杂区未与所述未掺杂区接触的一侧,设置于所述有源层上的第一绝缘层,设置于所述第一绝缘层上的第一栅极,设置于所述第一栅极上的第二绝缘层,设置于所述源极区上方、且贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的源极,设置于所述漏极区上方、且贯穿所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的漏极,其中,所述源极与所述源极区相接触,所述漏极与所述漏极区相接触;其特征在于,所述薄膜晶体管阵列基板还包括:设置于所述第二绝缘层上的第一遮光层,其中,所述第一遮光层覆盖所述未掺杂区与所述漏极区之间的轻掺杂区。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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