[发明专利]抑制喷头背面寄生等离子体的方法和装置

摘要

本文公开的是抑制喷头背面寄生等离子体的方法和装置，具体公开了采用次级清扫的用途在半导体衬底上沉积材料膜的方法。该方法可以包括使膜前体流入处理室并使所述膜前体吸附到所述处理室中的衬底，使得所述前体在衬底上形成吸附受限层。该方法还可以包括通过用初级清扫气体清扫处理室从围绕所吸附的前体的体积去除至少一些未被吸附的膜前体，然后，在次级清扫气体流入所述处理室时使吸附的膜前体反应，导致在衬底上形成膜层。次级清扫气体可包括具有等于或大于O₂的电离能和/或解离能的电离能和/或解离能的化学物质。还公开了其中实现前述处理的装置。

主权项

1.一种在处理室中在半导体衬底上沉积材料膜的方法，所述方法包括：(a)使膜前体流入所述处理室；(b)在所述处理室中使所述膜前体吸附到衬底上，使得所述前体在所述衬底上形成吸附受限层；(c)通过用初级清扫气体清扫所述处理室从围绕所吸附的前体的体积去除至少一些未被吸附的膜前体；以及(d)在(c)中用所述初级清扫气体去除所述未被吸附的膜前体之后，在次级清扫气体流入所述处理室时使所吸附的膜前体反应，以在所述衬底上形成膜层，其中所述次级清扫气体包括具有等于或大于O2的电离能和/或解离能的电离能和/或解离能的化学物质。