[发明专利]一种平面型三阶梯结雪崩光电二极管及制作方法

摘要

本发明提供一种平面型三阶梯结雪崩光电二极管，包括衬底，顺序层叠于衬底上的缓冲层、吸收层、渐变层、电场控制层和帽层，部分所述帽层上设有同轴的三阶梯PN结，所述三阶梯PN结包括半径逐渐增宽而结深逐渐变浅的第三阶梯PN结、第二阶梯PN结和第一阶梯PN结，第一、第二阶梯PN结用于抑制光电二极管结边缘电场、减小有源区面积及提高器件的频率特征，所述帽层上沉积有掩膜层，掩膜层上形成有窗口，所述窗口内覆盖有P电极，所述衬底下层叠有N电极，所述N电极上形成有光入射窗口，所述光入射窗口内设有增透膜；本发明还提供一种制作方法。本发明采用三阶梯结结构，利用第三阶梯PN结减小器件的有源区尺寸，提高器件的频率特性，减小器件的隧道电流。

主权项

一种平面型三阶梯结雪崩光电二极管，其特征在于，包括衬底，顺序层叠于所述衬底上的缓冲层、吸收层、渐变层、电场控制层和帽层，部分所述帽层上设有同轴的三阶梯PN结，所述三阶梯PN结包括由下至上层叠的半径逐渐增宽而结深逐渐变浅的第三阶梯PN结、第二阶梯PN结和第一阶梯PN结，所述第一、第二阶梯PN结用于抑制光电二极管结边缘电场、减小有源区面积及提高器件的频率特征，所述帽层上沉积有掩膜层，所述掩膜层上形成有窗口，所述窗口内覆盖有P电极，所述衬底下层叠有N电极，所述N电极上形成有光入射窗口，所述光入射窗口内设有增透膜；阶梯PN结的结深是指从一个阶梯PN结下边缘到另一个相邻阶梯PN结下边缘的垂直距离。