[发明专利]立式热处理装置和立式热处理装置的运转方法在审
申请号: | 201510461147.5 | 申请日: | 2015-07-30 |
公开(公告)号: | CN106409718A | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
发明(设计)人: | 本山丰;福岛讲平;松永正信;田吹圭司;户根川大和 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C23C16/54;C23C16/44 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙)11277 | 代理人: | 刘新宇,张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供立式热处理装置和立式热处理装置的运转方法,在将呈搁板状保持有多个基板的保持件输入到反应容器内并向反应容器内供给处理气体而进行成膜处理时,能够提高基板间的膜厚的均匀性。该立式热处理装置构成为包括气体供给部,其用于向反应容器内供给成膜气体;以及气体分布调整构件,其以分别位于比保持于基板保持件的多个被处理基板的配置区域靠上方的位置和靠下方的位置的方式设置。并且,气体分布调整构件包含设于比基板保持件的顶板靠下方的位置且是比基板保持件的底板靠上方的位置的、分别形成有凹凸的第1板状构件和第2板状构件,第1板状构件具有第1表面积,第2板状构件具有与第1表面积不同的第2表面积。 | ||
搜索关键词: | 立式 热处理 装置 运转 方法 | ||
【主权项】:
一种立式热处理装置,其在立式的反应容器内在将表面形成有凹凸的多个被处理基板保持于基板保持件的状态下利用加热部进行加热而对所述被处理基板进行成膜处理,其特征在于,该立式热处理装置包括:气体供给部,其用于向所述反应容器内供给成膜气体;以及气体分布调整构件,其以分别位于比保持于所述基板保持件的多个所述被处理基板的配置区域靠上方的位置和靠下方的位置的方式设置,所述气体分布调整构件包含第1板状构件和第2板状构件,该第1板状构件和第2板状构件以分别位于上下的方式设于比所述基板保持件的顶板靠下方的位置且是比所述基板保持件的底板靠上方的位置,在该第1板状构件和第2板状构件上分别形成有凹凸,所述第1板状构件具有第1表面积,所述第2板状构件具有与所述第1表面积不同的第2表面积。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造