[发明专利]沟槽式功率晶体管结构及其制造方法

摘要

一种沟槽式功率晶体管结构及其制造方法，其中沟槽式功率晶体管结构包括基材、磊晶层、沟槽栅极结构、基体区以及源极区；磊晶层位于基材上，并具有一沟槽；沟槽栅极结构位于磊晶层的沟槽中，包括底部介电结构、栅极介电层与栅极；底部介电结构位于沟槽下半部，其中底部介电结构包括一绝缘层以及一非导体结构，其中绝缘层形成于沟槽下半部的第一内壁面，并定义出一凹槽，且非导体结构填充于凹槽内；栅极介电层位于沟槽上半部的第二内壁面，栅极则位于沟槽内与栅极介电层连接；基体区位于磊晶层中，并环绕沟槽栅极结构；源极区位于基体区上方。本发明沟槽式功率晶体管结构与其制造方法可避免在沟槽中形成底部介电结构的过程中，在沟槽中形成缝隙。

主权项

一种沟槽式功率晶体管结构，其特征在于，该沟槽式功率晶体管结构包括：一基材；一磊晶层，位于该基材上，其中该磊晶层中具有一沟槽；一沟槽栅极结构，位于该沟槽中，其中该沟槽栅极结构包括：一底部介电结构，位于该沟槽下半部，其中该底部介电结构包括一绝缘层以及一非导体结构，其中该绝缘层形成于该沟槽下半部的一第一内壁面，并定义出一凹槽，且该非导体结构填充于该凹槽内；一栅极介电层，位于该沟槽上半部的一第二内壁面；及一栅极，位于该沟槽内与栅极介电层连接；一基体区，位于该磊晶层中，并环绕该沟槽栅极结构；以及一源极区，位于该基体区上方。