[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201510463261.1 | 申请日： | 2015-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN105789305B | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 西堀一弥;中川贵博 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06;H01L27/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 杨谦;房永峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体装置。根据1个实施方式，半导体装置是切换高频信号的半导体装置，具备第1导电型的半导体层；设置于上述半导体层的第2导电型的第1层；设置于上述半导体层的第2导电型的第2层；设置于上述第1层上、上述第2层上以及上述半导体层上的栅极绝缘膜；以及设置于上述栅极绝缘膜上的栅极电极。上述栅极绝缘膜包括：第1栅极绝缘膜，在上述栅极电极的栅极宽度方向延伸；以及第2栅极绝缘膜，在上述第1栅极绝缘膜的两侧设置，并且至少一部分介于上述栅极电极与上述第1层以及上述第2层之间，且该第2栅极绝缘膜比上述第1栅极绝缘膜厚。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，该半导体装置是切换高频信号的半导体装置，上述半导体装置具备：第1导电型的半导体层；第2导电型的第1层，设置于上述半导体层；第2导电型的第2层，设置于上述半导体层；栅极绝缘膜，设置于上述第1层之上、上述第2层之上以及上述半导体层之上；以及栅极电极，设置于上述栅极绝缘膜之上，上述栅极绝缘膜包括第1栅极绝缘膜和第2栅极绝缘膜，上述第1栅极绝缘膜在上述栅极电极的栅极宽度方向延伸，上述第2栅极绝缘膜设置在上述第1栅极绝缘膜的两侧，且至少一部分介于上述栅极电极与上述第1层及上述第2层之间，上述第2栅极绝缘膜比上述第1栅极绝缘膜厚，在栅极长度方向上，从上述第1层的与上述栅极电极的端部正下方对应的位置开始到上述第1层的端部为止的长度为上述第2栅极绝缘膜的长度以下。
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