[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法和显示装置有效
| 申请号： | 201510463501.8 | 申请日： | 2015-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN104979406B | 公开（公告）日： | 2018-05-25 |
| 发明（设计）人： | 袁广才;闫梁臣;徐晓光;王磊;彭俊彪;兰林锋 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法和显示装置。该薄膜晶体管制备方法包括在基板上形成薄膜晶体管的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极，其中，所述有源层使用金属氧化物薄膜制备，并且在制备过程中对所述金属氧化物薄膜进行电化学氧化处理，并将电化学氧化处理后的金属氧化物薄膜构图形成所述薄膜晶体管的有源层。采用该制备方法，能减少金属氧化物薄膜的氧空位、控制其自由载流子浓度，所制备的薄膜晶体管稳定性好。而且，也无需额外使用光刻工艺，对成本影响小。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 金属氧化物薄膜 源层 电化学氧化 显示装置 阵列基板 栅极绝缘层 自由载流子 成本影响 光刻工艺 源漏电极 制备过程 氧空位 基板 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括在基板上形成薄膜晶体管的栅极、栅极绝缘层、有源层和源漏电极，其中，所述有源层使用金属氧化物薄膜制备，并且在制备过程中对所述金属氧化物薄膜进行电化学氧化处理以减少所述金属氧化物薄膜的氧空位，并将电化学氧化处理后的金属氧化物薄膜构图形成所述薄膜晶体管的有源层。
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