[发明专利]一种二硫化钛纳米片/石墨烯复合材料对电极及其制备方法有效
申请号: | 201510464645.5 | 申请日: | 2015-08-01 |
公开(公告)号: | CN104992843B | 公开(公告)日: | 2017-06-27 |
发明(设计)人: | 邱介山;于畅;孟祥桐 | 申请(专利权)人: | 大连理工大学 |
主分类号: | H01G9/20 | 分类号: | H01G9/20;H01G9/042 |
代理公司: | 大连星海专利事务所21208 | 代理人: | 王树本 |
地址: | 116024 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | 本发明涉及太阳能电池技术领域,一种二硫化钛纳米片/石墨烯复合材料对电极制备方法,包括以下步骤1、将氧化石墨烯、钛粉和硫粉作为前驱体,经过机械球磨混合;2、将步骤1所得混合物在惰性气氛下高温退火处理,冷却至室温,得到硫化物纳米片垂直生长在石墨烯表面的复合材料;3、将步骤2得到的复合材料与粘结剂研磨均匀,再将所得浆料涂覆到导电层上;4、将步骤3得到的涂覆有浆料的导电层,在惰性气氛保护下,升温退火处理,冷却至室温后,得到目标对电极。本发明采用的制备工艺简单、原料成本低、适于大批量工业化制备;与传统铂对电极相比,可以取代价格昂贵、资源短缺及稳定性差的铂对电极,对降低染料敏化太阳能电池的成本具有重要意义。 | ||
搜索关键词: | 一种 硫化 纳米 石墨 复合材料 电极 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种二硫化钛纳米片/石墨烯复合材料对电极,包括绝缘基底、导电层、石墨烯及二硫化钛纳米片,其特征在于:所述导电层通过物理方法沉积在绝缘基底上,所述二硫化钛纳米片/石墨烯复合材料通过粘结剂附着在导电层上,二硫化钛纳米片垂直生长在石墨烯上;所述绝缘基底为玻璃,厚度为19‑21 mm,所述导电层为掺氟的二氧化锡,厚度为0.3‑0.4 mm。
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