[发明专利]大入射角磁光子晶体宽带光隔离器

摘要

本发明是一种大入射角一维磁光子晶体宽带光隔离器。其中光隔离器结构是由磁光介质层(1)、高折射率电介质层(2)和低折射率电介质层(3)沿Z轴周期性排列的一维结构，磁光介质层为Ce:YIG，高折射率电介质层为Si，低折射率电介质层为SiO₂，采用多磁光介质层和三种膜层重复数控制光隔离器结构；外加磁场(4)与光路光轴之间的夹角(5)为19.95度。该磁光子晶体光隔离器在中心波长λ₀＝1550nm的条件下采用掺铈钇铁石榴石Ce:YIG作磁光介质层M、硅作高折射率的电介质层H、二氧化硅作低折射率的电介质层L、外加磁场；其利用磁光法拉第效应，实现了对光线入射角度α(6)具有宽容性的宽带光隔离。

主权项

一种大入射角磁光子晶体宽带光隔离器，其特征在于该磁光子晶体光隔离器在中心波长λ₀＝1550nm的条件下采用掺铈钇铁石榴石Ce:YIG作磁光介质层(1)、硅作高折射率电介质层(2)、二氧化硅作低折射率电介质层(3)、外加磁场(4)；其中磁光介质层(1)、高折射率电介质层(2)和低折射率电介质层(3)是沿Z方向排列的一维周期性结构，高折射率电介质层(2)、低折射率电介质层(3)的光学厚度为λ₀/4，磁光介质层(1)的光学厚度为λ₀/2，其周期性排列顺序为：(H/L)^x/M/(L/H)^y/M/(H/L)^z/M/(L/H)^z/M/(H/L)^y/M/(L/H)^x/M/(H/L)^x/M/(L/H)^y/M/(H/L)^z/M/(L/H)^z/M/(H/L)^y/M/(L/H)^x，其中x＝2，y＝5，z＝4；外加磁场(4)与Z轴之间夹角(5)为19.95°；H为高折射率电介质层，L为低折射率电介质层，M为磁光介质层。