[发明专利]半导体结构及其制法有效
| 申请号： | 201510466893.3 | 申请日： | 2015-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN106356356B | 公开（公告）日： | 2019-09-27 |
| 发明（设计）人： | 范植文;白裕呈;邱士超;林俊贤;陈嘉成;江东昇;洪祝宝 | 申请（专利权）人： | 矽品精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/498 | 分类号： | H01L23/498;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种半导体结构及其制法，该半导体结构包括：绝缘层，其具有相对的第一表面与第二表面，且该绝缘层具有贯穿该第一表面与该第二表面的开口；第一线路层，其设置于该绝缘层的第一表面上，且令部分该第一线路层外露于该开口，另外可于该第一线路上进行置晶、封装及植球制程，免除现有在线路层上形成图案化的拒焊层，避免线路层及拒焊层间发生脱层问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征为，该半导体结构包括：绝缘层，其具有相对的第一表面与第二表面；线路层，其形成于该绝缘层的第一表面上；以及金属层，其形成于该绝缘层的第二表面上，并具有至少一未貫穿該金属层的凹槽。
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