[发明专利]一种氯硅烷残液生产HCl气体的方法有效
申请号: | 201510467054.3 | 申请日: | 2015-08-03 |
公开(公告)号: | CN105036081B | 公开(公告)日: | 2017-06-13 |
发明(设计)人: | 黄兵;罗平;陈樑;宋东明;张雯雯;沈宗喜;章江洪;马启坤;李银光;宋良杰;徐灵通;丁炳恒;梁景坤;郑慧文;赵义;王光跃;和雪飙;梁永坤;邓亮;王岭 | 申请(专利权)人: | 昆明理工大学;昆明冶研新材料股份有限公司 |
主分类号: | C01B7/01 | 分类号: | C01B7/01 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 650093 云*** | 国省代码: | 云南;53 |
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摘要: | 本发明公开了一种氯硅烷残液生产HCl气体的方法,属于多晶硅行业氯硅烷残液资源化的领域。本发明采用搅拌反应釜和吸收塔连用的方式,氯硅烷残液在搅拌反应釜中水解,残液水解产生的H2、HCl气体和未反应完全的SiCl4、SiHCl3、SiH2Cl2挥发气,经过吸收塔充分吸收后,99%以上的氯以氯化氢的形式被吸收下来,尾气碱洗后达标排放,吸收塔吸收液进入搅拌反应釜作为残液水解反应吸收剂,浓盐酸经解析产生的HCl气体可回到三氯氢硅的合成工序,解析后的稀盐酸又作为本发明系统的吸收剂,实现了氯的资源循环利用。本发明实现了氯硅烷残液中氯的有效回收和资源化利用,减少进入后续污水处理装置的氯离子的量,降低工厂废水处理成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 硅烷 生产 hcl 气体 方法 | ||
【主权项】:
一种氯硅烷残液生产HCl气体的方法,其特征在于,包括以下步骤:(1)将经过沉淀过滤去除大部分硅粉和金属氯化物的氯硅烷残液输送到残液储罐(1)中,用N2将氯硅烷残液从残液储罐(1)压到搅拌反应釜(2)与吸收塔(3)下来的吸收液发生水解反应,反应停留时间为5~10分钟;(2)用稀盐酸在吸收塔(3)中吸收搅拌反应釜(2)产生的挥发气体,吸收液则进入搅拌反应釜(2),尾气经尾气碱洗工序吸收后达标排放;(3)将搅拌反应釜(2)反应液送入过滤机(4)过滤掉二氧化硅固体,过滤后所得滤液为浓盐酸,进入浓盐酸储槽(5);(4)二氧化硅固体滤渣用工业水进行洗涤,洗涤液为稀盐酸,进入洗涤液储槽(6),该洗涤液作为吸收剂从吸收塔(3)顶部喷淋,对搅拌反应釜(2)挥发气进一步吸收;(5)将获得的浓盐酸送到盐酸解析塔(7)解析,获得HCl气体,解析后的稀盐酸进入稀盐酸储槽(8);(6)将稀盐酸储槽(8)中稀盐酸和浓盐酸储槽(5)中浓盐酸在吸收剂配制槽(9)中配制成质量百分比浓度为25~28%的稀盐酸,经换热器(10)冷却后,进入吸收塔(3)中、下部作为吸收剂循环吸收搅拌反应釜(2)产生的挥发气;(7)HCl气体经深冷脱水之后进入三氯氢硅合成工艺系统。
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