[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201510469273.5 | 申请日： | 2015-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN106158008B | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 木原雄治 | 申请（专利权）人： | 力晶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/4063 | 分类号： | G11C11/4063 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王珊珊 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体存储装置。该半导体存储装置是具有多个存储单元的多值DRAM，多个存储单元各自具备连接至字线的选择晶体管、及经由选择晶体管连接至位线且存储多值的第1蓄电电容器。半导体存储装置具备对应多个位线而设置的包含第2蓄电电容器的多个采样保持电路；对应多个位线而设置在各采样保持电路的后段的经由各采样保持电路从各存储单元将数据读出并转换成数字值的多个单斜率型AD转换器；以及为了刷新各存储单元将对应数字值的电压施加于各存储单元，且将对应写入数据的数字值的电压施加在各存储单元的存储器控制器。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其是多值DRAM，包括：多个存储单元，所述多个存储单元各自包括：选择晶体管，连接至多条字线中的1条字线；以及第1蓄电电容器，存储各个多值，且经由所述选择晶体管连接至多条位线中的1条位线；多个采样保持电路，各自包含第2蓄电电容器，且对应所述多条位线而各自设置；多个单斜率型AD转换器，对应所述多条位线而各自设置在各个所述采样保持电路的后段，经由各个所述采样保持电路从各个所述存储单元将数据各自读取出来，并转换成数字值；以及控制装置，为了使各个所述存储单元刷新，将对应所述转换成数字值的电压施加于各个所述存储单元而进行写入，且将对应于预定写入数据的所述数字值的电压施加在各个所述存储单元而进行写入。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力晶科技股份有限公司，未经力晶科技股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510469273.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
