[发明专利]一种高精度测量晶片纵向对准误差的方法

摘要

本发明公开了一种高精度测量晶片纵向对准误差的方法，涉及半导体器件与电路的制作方法技术领域。包括以下步骤1）在光刻版上纵向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为光刻版测量标尺；2）在晶片上纵向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为晶片测量标尺；3）通过移动晶片，调整晶片与光刻板的相对位置，使晶片测量标尺与光刻版测量标尺在视野中重叠或平行；4）通过计算读取晶片纵向误差。本发明通过对光刻版和晶片设置的测量标尺，高精度的读取了晶片相对于光刻版的偏差，误差精度取决于l1与l2的差值，其l1和l2相差不大于0.1，故实现对晶片纵向误差高精度的读取。

主权项

一种高精度测量晶片纵向对准误差的方法，其特征在于：包括以下步骤：1)在光刻版上纵向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为光刻版测量标尺；2)在晶片上纵向加工一排中心对齐的刻度线阵列作为晶片测量标尺；3)通过移动晶片，调整晶片与光刻板的相对位置，使晶片测量标尺与光刻版测量标尺在视野中重叠或平行；4)通过计算读取晶片纵向误差；所述步骤4)中的读取方法为首先读取晶片基准刻度线偏离光刻版基准刻度线的方向，然后读取光刻版上的刻度线在他们之间出现的的条数x，最后观察晶片基准刻度线在偏离光刻版方向上的第几条刻度线与光刻版上的刻度线重合；当重合的刻度线在晶片基准刻度线下侧第n条，则晶片在纵向偏离光刻版的相对误差为偏下x×l1+n×(l1‑l2)；当重合的刻度线在晶片基准刻度线上侧第n条，则晶片在纵向偏离光刻版的相对误差为偏上x×l1+n×(l1‑l2)，其中，l1表示光刻版测量标尺中相邻两刻度线中心之间的间距，l2表示晶片测量标尺中相邻两刻度线中心之间的间距。