[发明专利]微纳米阵列结构、其制备方法和制备其用的掩模阵列

摘要

本发明提供一种用于在基底上制备微纳米阵列结构的掩模阵列，以及用所述掩模阵列制备得到的微纳米阵列结构。所述掩模阵列由掩模单元阵列组成；所述掩模单元包括底面和向上翘起的侧面，所述底面平铺在基底上。本发明提供的掩模阵列，克服了传统掩模在干法蚀刻中易产生变形、缺陷和收缩等掩模损伤，从而导致掩模形状转移到基底时存在边壁效应，如：畸变、侧壁条纹和柱体陡直度减小等不足，本发明的悬空掩模不受材料和形状限制；同时，本发明的陡直的表面光滑柱体也不受材料和形状的限制；本发明工艺流程简单、加工方便，价格相对便宜。

主权项

1.一种用于在基底上制备微纳米阵列结构的掩模阵列，其特征在于，所述掩模阵列由掩模单元阵列组成，所述掩模阵列的阵列周期≥2μm；所述掩模单元包括底面和向上翘起的侧面，所述底面平铺在基底上，所述掩模单元结构由下向上外形尺寸逐渐变大，所述侧面上翘与基底平面之间的角度为30～85°，所述掩模单元上表面与基底之间的距离为200nm～5μm，所述掩模单元底面尺度≥1μm；由所述的掩模阵列获得的微纳米阵列结构，上表面和侧表面光滑，没有条纹和畸变，具有85°以上的陡直度。