[发明专利]改善外延片背面平整度的方法和外延片有效
| 申请号： | 201510472593.6 | 申请日： | 2015-08-04 |
| 公开（公告）号： | CN106449501B | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 康冬亮;陈建国 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 11343 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种改善外延片背面平整度的方法及一种外延片，其中，所述改善外延片背面平整度的方法包括：对外延片的背面的凸起厚度进行检测；当检测的所述凸起的厚度大于所述预设厚度时，将所述外延片的正面复合一层保护膜；对正面复合有所述保护膜的所述外延片的背面进行减薄处理；对已经完成所述减薄处理的所述外延片的背面进行腐蚀处理，以使所述外延片的背面的凸起厚度小于所述预设厚度；将已经完成所述腐蚀处理的所述外延片的正面的所述保护膜去除。通过本发明的技术方案，可以有效地改善外延片背面的不平整，使外延片背面的平整度满足使用需求。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 外延 背面 平整 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善外延片背面平整度的方法，其特征在于，包括：/n对外延片的背面的凸起厚度进行检测；/n当检测的所述凸起的厚度大于预设厚度时，将所述外延片的正面复合一层保护膜；/n对正面复合有所述保护膜的所述外延片的背面进行减薄处理；/n对已经完成所述减薄处理的所述外延片的背面进行腐蚀处理，以使所述外延片的背面的凸起厚度小于所述预设厚度；/n将已经完成所述腐蚀处理的所述外延片的正面的所述保护膜去除；/n所述对外延片的背面的凸起厚度进行检测的具体步骤，包括：/n通过光刻机台对外延片的背面的凸起厚度进行检测。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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