[发明专利]太阳能电池、电子设备及太阳能电池的制造方法在审
申请号: | 201510472892.X | 申请日: | 2015-08-04 |
公开(公告)号: | CN106206837A | 公开(公告)日: | 2016-12-07 |
发明(设计)人: | 永野大介 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/042;H01L31/0216 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 田喜庆;吴孟秋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种可在激光切割时防止透明导电膜及发电膜受到损伤的太阳能电池、电子设备及太阳能电池的制造方法。在基板(2)上设置发电膜(3),在发电膜(3)上重叠设置透明导电膜(4),在透明导电膜(4)上设置厚度为1μm以上的第一绝缘膜(5),使激光(24)聚光照射于基板(2)并喷吹气体,从而将基板(2)形成为规定形状。 | ||
搜索关键词: | 太阳能电池 电子设备 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种太阳能电池的制造方法,其特征在于,包括:在基板上设置具有光电转换功能的发电膜的工序;在所述发电膜上重叠设置具有透光性的透明导电膜的工序;在所述透明导电膜上设置保护膜的工序;以及使激光聚光照射于所述基板并喷吹气体而将所述基板形成为规定形状的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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