[发明专利]具有场效应结构的半导体器件及制造其的方法

摘要

本发明涉及具有场效应结构的半导体器件及制造其的方法。半导体器件包括半导体衬底（110）、集成在半导体衬底（110）中的至少第一场效应结构（151）和集成在半导体衬底（110）中的至少第二场效应结构（152）。第一场效应结构（151）包括由多晶半导体材料组成的第一栅电极（141）。第二场效应结构（152）包括由金属、金属合金、金属层堆叠、金属合金层堆叠之一及其组合组成的第二栅电极（142）。

主权项

一种半导体器件，包括：半导体衬底（110, 210）；至少第一场效应结构（151, 251），其集成在所述半导体衬底（110, 210）中，所述第一场效应结构（151, 251）包括在第一栅极电介质（131, 231）上并与第一栅极电介质（131, 231）接触的第一栅电极（141, 241），所述第一栅极电介质（131, 231）被布置在所述第一栅电极（141, 241）和所述半导体衬底（110, 210）之间，其中所述第一栅电极（141, 241）由多晶半导体材料组成；以及至少第二场效应结构（152, 252），其集成在所述半导体衬底（110, 210）中，所述第二场效应结构（152, 252）包括在第二栅极电介质（132, 232）上并与第二栅极电介质（132, 232）接触的第二栅电极（142, 242），所述第二栅极电介质（132, 232）被布置在所述第二栅电极（142, 242）和所述半导体衬底（110, 210）之间，其中所述第二栅电极（142, 242）由金属、金属合金、金属层堆叠、金属合金层堆叠之一及其组合组成，并与所述半导体衬底（110, 210）电绝缘。