[发明专利]一种中国低纬地区电离层闪烁发生概率预报方法有效
申请号: | 201510473513.9 | 申请日: | 2015-08-05 |
公开(公告)号: | CN105116469B | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 张红波;赵振维;刘玉梅 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十二研究所 |
主分类号: | G01W1/10 | 分类号: | G01W1/10 |
代理公司: | 北京中济纬天专利代理有限公司11429 | 代理人: | 孙静雅 |
地址: | 266107 山*** | 国省代码: | 山东;37 |
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摘要: | 本发明公开了一种中国低纬地区电离层闪烁发生概率预报方法,所述方法包括基于电离层闪烁指数S4的电离层不均匀体强度CkL反演方法,随太阳活动指数Rz、地磁活动指数Kp、地理位置、季节和时间变化的中国低纬地区电离层不均匀体强度CkL的概率密度分布模型和电离层闪烁发生概率计算方法。本发明提供的方法可依据用户需求计算指定地点、时间、太阳活动指数Rz、地磁活动指数Kp、工作频段、电离层闪烁指数S4阈值等条件下的电离层闪烁事件发生概率。 | ||
搜索关键词: | 一种 中国 地区 电离层 闪烁 发生 概率 预报 方法 | ||
【主权项】:
一种中国低纬地区电离层闪烁发生概率预报方法,其特征在于,包括:步骤1、用户指定发射机位置、接收机位置、时间、工作频段和电离层闪烁指数S4阈值参数,获得同时间的太阳活动指数Rz和地磁活动指数Kp的预报值;步骤2、对于指定的电离层闪烁指数S4阈值,利用多相位屏理论反演相应的电离层不均匀体强度CkL0阈值;步骤3、依据中国低纬地区电离层不均匀体强度CkL的概率密度分布模型,预报指定地点、时间、太阳活动指数Rz、地磁活动指数Kp条件下的电离层不均匀体强度CkL的概率密度分布,所述步骤3具体为:A、中国低纬地区夜间电离层不均匀体强度CkL的概率密度分布为三段双高斯函数形式,其具体形式为:PDF=Σi=12(η1-ηp)exp[-(log(CkL)-μiσi)2]+ηp]]>其中,PDF为电离层不均匀体强度CkL的概率密度分布,μ1和μ2分别为第一个和第二个高斯函数中值,σ1和σ2分别为第一个和第二个高斯函数半带宽,η1、η2和η3分别为第一个和第二个概率密度高斯函数峰值,以及中段概率密度分布值,B、半带宽子模型CkL低峰半带宽σ1可设定为固定值0.8,而高峰半带宽σ2仅为太阳黑子数函数,在Rz等于0时σ2为1,当Rz大于等于150时σ2为0.7,在这区间为线性变化,σ2=1.0Rz=01.0-0.002×Rz0<Rz<1500.7Rz≥150]]>C、中值μ1和μ2子模型CkL低峰中值μ1和高峰中值μ2仅是纬度、Rz和时间的函数,电离层驼峰区CkL中值与Rz之间的模型为:电离层赤道区CkL中值与Rz之间的模型为:式中,μ1,night为低峰中值夜间值,μ1,day为低峰中值白天值,μ2,night为高峰中值夜间值,μ2,day为高峰中值白天值,日变化函数模型为:f(te)=exp[-(te-tssWss)2]ifte<tss1.0iftss≤te≤tsrexp[-(te-tsrWsr)2]ifte>tsr]]>此处te为海拔高度350km的本地电离层F层日落后经历的时间,tss为日落后峰值时间1.50和半带宽Wss为0.80,tsr为日出变化起始时刻1.75和半带宽Wsr=2.0,则一天内任意时刻的中值通过日变化函数拟合获得:x=xday+(xnight‑xday)×f(te)此处,xday为参数白天值,xnight为参数夜间值,D、基于历史数据获得的CkL纬度剖面经验模型fmdl(λ)=C0+(Cc-C0)exp[-(|λ|-λCWC)2]]]>式中,C0为赤道区CkL经验中值31.0,Cc为驼峰区CkL经验中值35.0,λC为驼峰区中心地磁纬度12°,WC为半带宽E、高峰密度峰值η2子模型高峰密度峰值η2是四个环境自变量的因变量,其函数为:η2=ηmax×f(te)×f(λ)×f(φangle)季节变化子模型为:式中φangle为本地地磁子午面与本地日落线之间夹角,Ws在冬季为12.0,在夏季为15.0,中段密度值η3可以设定为高峰密度峰值η2的固定百分比值22%,由于概率密度函数PDF在整个自变量分布区间的积分值为1,因此,CkL低峰密度峰值η1可由中段密度值η3和高峰密度峰值η2通过反演确定,不需要建模,ηmax=(0.05+0.75×exp[-(Rz-15030)2])×[1.0-0.7×Kp]]]>式中,Rz为太阳活动指数,Kp为地磁活动指数,步骤4、计算大于电离层不均匀体强度CkL0阈值的累积概率,即为相应的电离层闪烁指数S4阈值的发生概率。
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