[发明专利]一种晶体硅异质结太阳电池进光面用的金属电极及其制备方法

摘要

本发明为一种晶体硅异质结太阳电池进光面用的金属电极及其制备方法。采用银或者过渡层/银构成细栅线，配合优化设计的主栅线或者无主栅线，采用物理气相沉积或者化学镀膜等方法进行制备，获得了一种晶体硅异质结太阳电池用的金属电极。采用本发明所提及的栅线结构和制备方法，晶体硅异质结太阳电池中由金属电极所耗费的银材料总量将缩减为现行基于丝网印刷低温银浆料技术所耗费的银材料总量的20%以下；由金属栅线所导致的串联电阻将缩减为基于现行丝网印刷低温银浆料技术的串联电阻的10%以下，可提高晶体硅异质结太阳电池转换效率0.5%以上。

主权项

一种晶体硅异质结太阳电池进光面用的金属电极，其特征在于：该金属电极的材料构成为银或者过渡层/银的复合结构，过渡层/银的复合结构中的过渡层是指在晶体硅异质结太阳电池的TCO层与金属银之间的一层非银金属层，其材料构成为铬、钛、镍或者钨，过度层的厚度不超过1微米；该金属电极的结构中细栅线线宽不大于20微米，厚度不大于10微米，条数不少于120且相邻细栅线之间的间距相等；细栅线的线宽（d）与相邻两条细栅线之间的间距（s）成正比，d=A*s，其中A为一个常数，取值为0.1%~2.0%之间，细栅线的线宽与厚度的乘积与相邻两条细栅线之间的间距成正比；金属电极的结构中可以有与细栅线垂直的主栅线，也可以没有主栅线；主栅线的材料可以为与细栅线相同的材料，此时主栅线和细栅线可在同样的工艺流程中同时做出；主栅线的材料也可以为与细栅线不同的材料。