[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体器件及其制造方法。提供了具有改进性能的半导体器件。该半导体器件包括光电二极管和转移晶体管，光电二极管具有电荷存储层(n型半导体区)和表面层(p型半导体区)，转移晶体管具有栅电极和浮动扩散部。形成在第一导电类型的电荷存储层(n型半导体区)上方的第二导电类型的表面层(p型半导体区)包括具有低杂质浓度的第一子区和具有高杂质浓度的第二子区。第一子区布置得比第二子区更靠近浮动扩散部。

主权项

一种半导体器件，所述半导体器件包括光电二极管和转移晶体管，所述光电二极管和所述转移晶体管被串联连接，所述转移晶体管包括：栅电极，所述栅电极经由栅绝缘膜来被形成在半导体衬底的主表面的上方；第一导电类型的源区，所述源区被布置在所述栅电极的一端侧上；以及所述第一导电类型的漏区，所述漏区被布置在所述栅电极的另一端侧上，并且所述光电二极管包括：所述第一导电类型的电荷存储层，所述电荷存储层被形成在所述半导体衬底中，并且还用作所述源区；以及第二导电类型的表面层，所述表面层被布置在所述电荷存储层的上方，所述第二导电类型与所述第一导电类型相反，其中，所述表面层包括具有低杂质浓度的第一子区和具有比所述第一子区的杂质浓度高的杂质浓度的第二子区，所述第一子区被设置成比所述第二子区更靠近所述漏区。