[发明专利]含La、纳米Ni的三维封装芯片堆叠互连材料有效
| 申请号： | 201510476848.6 | 申请日： | 2015-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN105185767B | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 张亮;孙磊;郭永环 | 申请（专利权）人： | 江苏师范大学 |
| 主分类号： | H01L23/52 | 分类号： | H01L23/52;H01L21/768 |
| 代理公司： | 徐州市三联专利事务所 32220 | 代理人： | 周爱芳 |
| 地址： | 221011 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了含La、纳米Ni的三维封装芯片堆叠互连材料，属于芯片互连材料领域。该互连材料的稀土元素La含量为0.01～0.5％，纳米Ni颗粒为2～6％，其余为In。首先采用机械研磨制备In‑La中间合金粉末，其次混合In‑La粉末、In粉末、混合松香树脂、触变剂、稳定剂、活性辅助剂和活性剂并充分搅拌，最后添加纳米Ni颗粒，充分搅拌制备膏状含La和纳米Ni颗粒的互连材料，采用精密丝网印刷和回流焊工艺在芯片表面制备凸点，在一定压力(1MPa～10MPa)和温度(170℃～260℃)条件下实现三维空间的芯片垂直互连，形成高强度互连焊点。本互连材料具有高可靠性，可用于三维封装芯片堆叠。 | ||
| 搜索关键词： | la 纳米 ni 三维 封装 芯片 堆叠 互连 材料 | ||
【主权项】：
1.一种含La、纳米Ni的三维封装芯片堆叠互连材料，其特征在于：其成分及质量百分比为：稀土元素La含量为0.01~0.5%，纳米Ni颗粒为2~6%，其余为In。
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