[发明专利]一种基于二硫化钼的复合阻变存储器件及其制备方法

摘要

一种基于二硫化钼的复合阻变存储器件，包括顶电极、底电极和位于顶、底电极之间的活性层；所述的顶电极为Al，厚度为80nm；底电极为ITO导电玻璃；活性层为质量比为11的二硫化钼和聚偏氟乙烯的混合物(MoS2‑PVDF)，厚度为30nm。本发明的优点和积极效果是该器件的活性层通过悬涂法获得，避免了CVD方法的复杂工艺以及高额的成本，并且聚偏氟乙烯促进了二硫化钼在乙醇中的分散性，效率高且制作成本低；该器件开关比在103以上，开关电压2V，器件性能优异。

主权项

一种基于二硫化钼的复合阻变存储器件的制备方法，所述复合阻变存储器件包括顶电极、底电极和位于顶、底电极之间的活性层；所述的顶电极为Al，厚度为80nm；底电极为ITO导电玻璃；活性层为质量比为1:1的二硫化钼和聚偏氟乙烯的混合物(MoS2‑PVDF)，厚度为30nm；其特征在于制备方法包括以下步骤：1)采用3cm×3cm的ITO导电玻璃作为复合阻变存储器件的基底，将ITO导电玻璃中心1cm×1cm区域保留，其余部分用浓度为10wt％的盐酸溶液腐蚀10min，然后依次用洗涤灵、去离子水、丙酮和异丙醇溶液在超声清洗机中清洗；2)用匀胶机在整块ITO导电玻璃上旋涂活性层溶液，并在真空度‑0.7Bar、温度为80℃下干燥，匀胶机转速为2000rpm；3)重复步骤2)3次；4)通过热蒸发法在活性层上制备铝电极；所述活性层溶液制备方法，步骤如下：步骤1、将二硫化钼均匀分散在无水乙醇溶液中，室温下，在超声机内超声3h，得到二硫化钼分散液，二硫化钼与无水乙醇溶液的用量比为5mg：5mL；步骤2、将聚偏氟乙烯(PVDF)溶于无水乙醇溶液中，磁力搅拌4h，得到聚偏氟乙烯‑乙醇溶液，聚偏氟乙烯与无水乙醇溶液的用量比为10mg：10mL；步骤3、将聚偏氟乙烯‑乙醇溶液以25滴/min的滴加速率逐滴加入二硫化钼分散液中，待全部滴入后，8000rpm下离心5min，收集上层清液，重复离心两次，合并上层清液；步骤4、将上述上层清液置于真空度‑0.8Bar环境内，放置24h，制得活性层溶液。