[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管器件结构有效
| 申请号： | 201510477924.5 | 申请日： | 2015-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN106449741B | 公开（公告）日： | 2019-04-05 |
| 发明（设计）人： | 李宇柱 | 申请（专利权）人： | 常州中明半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06 |
| 代理公司： | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人： | 黄智明 |
| 地址： | 213200 江苏省常州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种绝缘栅双极型晶体管器件结构，顶部包括有源原胞和虚拟原胞，有源原胞由两个相邻的有源沟槽及其相邻半导体层组成，有源原胞的左右两边都是虚拟原胞，虚拟原胞包含虚拟沟槽，虚拟原胞以虚拟沟槽为边界，所有沟槽都至少穿透部分CS层和部分N‑漂移层；器件顶部包括三种P型基区，第一种P型基区位于有源原胞区域内，但不存在于两个有源沟槽之间，上面还设有N+发射区和P+接触区，并通过介质层中的窗口和金属发射极相连接；第二种P型基区位于有源原胞区域内的两个有源沟槽之间，并且都是电位悬空的；第三种P型基区位于虚拟原胞区域内。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 绝缘 栅双极型 晶体管 器件 结构 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极型晶体管器件结构，具有背面和正面，所述器件从背面开始依次包括：包括金属集电极(13)、P型集电极(12)、N型场终止层(11)和N‑漂移区(10)，在N‑漂移区(10)中靠近正面的部分设置了N型CS层(8)，器件顶部包括有源原胞(40)和虚拟原胞(51、52)两种区域，其中虚拟原胞(51、52)设置在有源原胞(40)两侧并分别根据与有源原胞(40)的相对位置称为左虚拟原胞(51)和右虚拟原胞(52)，其特征在于：有源原胞(40)所包含的沟槽只有两个而且这两个沟槽是相邻的，称它们为有源沟槽(37)；有源沟槽(37)的沟槽结构由相互接触的有源沟槽多晶硅(6)和栅氧化层(9)组成，其中有源沟槽多晶硅(6)和栅电极(30)相连；有源原胞区域(40)由这两个有源沟槽(37)以及和有源沟槽(37)紧密相邻的半导体层所组成，有源原胞(40)的左右两边都是虚拟原胞(51、52)，虚拟原胞(51、52)所包含的沟槽被称为虚拟沟槽(38)；虚拟沟槽(38)的沟槽结构由相互接触的虚拟沟槽多晶硅(3)和栅氧化层(9)组成，其中虚拟沟槽多晶硅(3)和发射极电极相连；虚拟原胞区域(51、52)以虚拟沟槽(38)为其边界，所有沟槽都至少穿透了部分CS层(8)和部分N‑漂移层(10)；器件顶部还包括三种P型基区，它们都位于CS层(8)的上方；第一种P型基区(7a)位于有源原胞区域(40)内，但不存在于两个有源沟槽(37)之间，第一种P型基区(7a)上面还设有N+发射区(1)和P+接触区(2)，并通过介质层中的窗口(20)和金属发射极(5)相连接；第二种P型基区(7b)位于有源原胞区域(40)内的两个有源沟槽(37)之间，并且都是电位悬空的；第三种P型基区(7c)位于虚拟原胞区域(51、52)内。
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