[发明专利]一种掺杂钒酸铽磁光晶体、生长方法及其应用有效
| 申请号： | 201510478490.0 | 申请日： | 2015-08-06 |
| 公开（公告）号： | CN105133015B | 公开（公告）日： | 2017-10-13 |
| 发明（设计）人： | 胡章贵;涂衡;赵营;岳银超;范飞镝 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | C30B29/30 | 分类号： | C30B29/30;C30B15/00 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 王文君 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种掺杂钒酸铽的磁光晶体、生产方法及其应用，所述掺杂钒酸铽磁光晶体的分子式为CaxMyTb1‑x‑yVO4，其中，M为稀土元素和碱金属元素，0.01≤x≤0.5，0≤y≤0.5。该系列晶体在1064nm处法拉第旋转角为TGG晶体的1.3‑1.5倍，该晶体为同成分熔融，可以用提拉法生长，易生长出大尺寸晶体，原料成本低，可有效降低磁光晶体成本。由该磁光晶体制作的磁光晶体器件在制作磁光隔离器时由于具有大的费尔德常数，可以降低对磁光晶体长度的要求，与现有；技术相比，具有器件设计更紧凑，减少隔离器中磁光晶体的使用个数，降低成本等优点。本发明同时也可用于光开关制作。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 掺杂 钒酸铽磁光 晶体 生长 方法 及其 应用 | ||
【主权项】：
一种掺杂钒酸铽的磁光晶体，其特征在于，其分子式为CaxMyTb1‑x‑yVO4，其中：M为稀土元素Y；x为0.01≤x＜0.5；y为0≤y＜0.5；所述磁光晶体在1064nm处法拉第旋转角为TGG晶体的1.3‑1.5倍。
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