[发明专利]一种电容器用掺混纳米二氧化钛负载氧化锡锑的聚酰亚胺高介电复合薄膜及其制备方法在审
| 申请号： | 201510478669.6 | 申请日： | 2015-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN105037764A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 唐彬;唐发根 | 申请（专利权）人： | 铜陵市胜达电子科技有限责任公司 |
| 主分类号： | C08J5/18 | 分类号： | C08J5/18;C08L79/08;C08G73/10;C08K13/06;C08K9/06;C08K9/10;C08K9/12;C08K3/22 |
| 代理公司： | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人： | 方琦 |
| 地址： | 244000 安徽省铜陵*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种电容器用掺混纳米二氧化钛负载氧化锡锑的聚酰亚胺高介电复合薄膜，该复合薄膜在聚酰亚胺薄膜制备过程中掺混纳米二氧化钛、氧化锡锑等复合填料，并将氧化锡锑负载在纳米二氧化钛中，以提高其分散性和利用率，再利用在有机溶剂中具有良好稳定性的聚乙烯醇膜对粉体进行包覆处理，而经过硅烷偶联剂表面改性处理后的复合粉体与有机胶液界面相容性好，更易分散均匀，从而高效稳定的改善了材料的介电性能，在提高介电常数的同时降低介电损耗，最后制备得到的复合薄膜材料较单纯的聚酰亚胺薄膜在介电性能上获得极大改善，且仍保持良好的力学性能和加工性能，应用前景良好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电容 器用 纳米 氧化 负载 聚酰亚胺 高介电 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种电容器用掺混纳米二氧化钛负载氧化锡锑的聚酰亚胺高介电复合薄膜，其特征在于，该复合薄膜由以下重量份的原料制备得到：纳米二氧化钛2‑3、均苯四甲酸二酐10‑12、4，4，‑二氨基二苯基醚8‑10、N‑甲基吡咯烷酮3‑4、聚醚砜0.8‑1、N，N‑二甲基乙酰胺22‑25、无水乙醇3‑5、硅烷偶联剂0.1‑0.2、甲基丙烯酸羟乙酯0.4‑0.5、氧化锡锑0.1‑0.2、聚乙烯醇0.1‑0.2、水4‑5。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铜陵市胜达电子科技有限责任公司，未经铜陵市胜达电子科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510478669.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
