[发明专利]一种膜电容器用掺混纳米钛酸钡的聚丙烯基复合介电薄膜及其制备方法在审
申请号: | 201510479082.7 | 申请日: | 2015-08-03 |
公开(公告)号: | CN105037777A | 公开(公告)日: | 2015-11-11 |
发明(设计)人: | 唐彬;唐发根 | 申请(专利权)人: | 铜陵市胜达电子科技有限责任公司 |
主分类号: | C08J7/04 | 分类号: | C08J7/04;C09D127/08;C09D101/02;C09D7/12;C08L23/12 |
代理公司: | 安徽合肥华信知识产权代理有限公司 34112 | 代理人: | 方琦 |
地址: | 244000 安徽省铜陵*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及介电薄膜材料制备领域,具体涉及一种膜电容器用掺混纳米钛酸钡的聚丙烯基复合介电薄膜及其制备方法,该复合薄膜以厚度≤5μm聚丙烯薄膜为基膜,并在基膜表面涂布厚度≤5μm的掺混纳米钛酸钡的纳米结晶纤维素/聚偏氟乙烯复合涂层制成,这种复合涂层由掺混了纳米钛酸钡的纳米结晶纤维素/聚偏氯乙烯复合涂层液干燥得到,干燥后所得涂层力学性能优良,轻质坚韧,具有较高的介电常数和较低的介电损耗,膜层致密平整,对热稳定,充分的结合了有机/无机介电材料的优点,且生产制备过程简单,适合大规模生产,可用于生产小型化和大容量化的膜电容器。 | ||
搜索关键词: | 一种 电容 器用 纳米 钛酸钡 聚丙烯 复合 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种膜电容器用掺混纳米钛酸钡的聚丙烯基复合介电薄膜,其特征在于,该介电薄膜以厚度≤5μm聚丙烯薄膜为基膜,并在基膜表面涂布厚度≤5μm的复合涂层,所述的复合涂层由以下重量份的原料配制而成:纳米钛酸钡3‑5、醇醚类溶剂10‑12、聚醚改性硅油0.1‑0.2、聚乙烯吡咯烷酮1‑2、N,N‑二甲基乙酰胺20‑25、聚乙二醇400 0.3‑0.5、纳米结晶纤维素2‑3、聚偏氯乙烯10‑12。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于铜陵市胜达电子科技有限责任公司,未经铜陵市胜达电子科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510479082.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。