[发明专利]多晶硅锭的制造方法有效
| 申请号： | 201510479377.4 | 申请日： | 2015-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN106191992B | 公开（公告）日： | 2019-02-22 |
| 发明（设计）人： | 何国桢;蔡亚陆;曾建嘉;杨佳颖 | 申请（专利权）人： | 友达晶材股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B28/04 | 分类号： | C30B28/04;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人： | 张雅军 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种多晶硅锭的制造方法包含以下步骤：(A)将一个装有一硅料并具有一个底壁及一个围绕该底壁的围壁的坩埚设置于一热场内，令该坩埚内的硅料受该热场所加热以熔融成一硅熔汤；(B)于该步骤(A)后，控制该热场由该坩埚的一上方加热，以令接触于该坩埚的底壁处及至少接触邻近该底壁的围壁处的一部分硅熔汤，固化成一个固态硅晶隔离层从而令一剩余硅熔汤的一底部是由该固态硅晶隔离层所包围；及(C)于该步骤(B)后，控制该热场由该坩埚的上方持续加热，且令该坩埚内的剩余硅熔汤由该剩余硅熔汤的底部向上逐渐固化结晶成一个多晶硅锭。因此，在制造多晶硅锭过程中，预先固化形成该固态硅晶隔离层，可以降低最终的多晶硅锭内的氧含量。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种多晶硅锭的制造方法，其特征在于：包含以下步骤：一个硅料熔融步骤，将一个装有一硅料并具有一个底壁及一个围绕该底壁的围壁的坩埚设置于一热场内，令该坩埚内的硅料受该热场加热以熔融成一硅熔汤；一个固态硅晶隔离层形成步骤，于该硅料熔融步骤后，控制该热场由该坩埚的一上方加热，以令接触于该坩埚的底壁处及至少接触邻近该底壁的围壁处的一部分硅熔汤，固化成一个固态硅晶隔离层，从而令一剩余硅熔汤的一底部是由该固态硅晶隔离层所包围，该热场的加热温度是低于硅熔点17℃至25℃，该部分硅熔汤经该坩埚底壁与该坩埚围壁释放热量，以迫使该部分硅熔汤降温；及一个多晶硅锭成长步骤，于该固态硅晶隔离层形成步骤后，控制该热场由该坩埚的上方持续加热，且令该坩埚内的剩余硅熔汤由该剩余硅熔汤的底部向上逐渐固化结晶成一个多晶硅锭。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达晶材股份有限公司，未经友达晶材股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510479377.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种二阶非线性光学晶体材料的制备方法
- 下一篇：PCB板用拉紧式快速板夹
