[发明专利]抗工艺、电压、温度变化的低功耗尾电流型环形振荡电路

摘要

本发明公开了一种抗工艺、电压、温度变化的低功耗尾电流型环形振荡电路。该振荡电路主要包括PTAT基准电流产生电路、电流镜像电路、尾电流型环形振荡器、强下拉弱上拉缓冲级和缓冲级。PTAT基准电流产生电路使用外部精密电阻来产生精准的PTAT基准电流，该基准电流具有正温度系数。尾电流型环形振荡器振荡频率与尾电流成线性关系，且振荡频率具有负温度系数。电流镜像电路镜像具有正温度系数的PTAT基准电流为尾电流型环形振荡器供电，来补偿环形振荡器的负温度系数。此尾电流型环形振荡器具有自动抗工艺离散的功能。PTAT基准电流产生电路和电流镜像电路采用Cascode结构，环形振荡电路的振荡频率对电源电压的变化不敏感。此电路结构简单，功耗低。

主权项

一种抗工艺、电压、温度变化的低功耗尾电流型环形振荡电路，其特征在于，包括：PTAT基准电流产生电路，产生与温度呈正比的基准电流；尾电流型环形振荡器，其振荡频率与尾电流成线性关系，具有负温度系数；电流镜像电路，镜像PTAT基准电流，为尾电流型环形振荡器供电；强下拉弱上拉缓冲级，把环形振荡器的振荡信号整形为满电源摆幅输出的振荡信号；缓冲级，整形强下拉弱上拉缓冲级输出的振荡信号；所述的PTAT基准电流产生电路包括：NMOS和PMOS Cascode结构，保证流过两支路的电流相等，改善了电源抑制比；两个发射极面积呈比例的NPN晶体管，基极和发射极电压之差ΔVbe提供正温度系数，减小NPN晶体管的带来的工艺离散；外部精密电阻Rext，替代芯片内部离散大的电阻，ΔVbe/Rext提供了PTAT电流，减小了PTAT电流的工艺离散。