[发明专利]制造氧化物半导体薄膜电晶体的方法在审
| 申请号： | 201510480819.7 | 申请日： | 2015-08-03 |
| 公开（公告）号： | CN106409686A | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 张锡明;黄彦馀 | 申请（专利权）人： | 中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京中誉威圣知识产权代理有限公司11279 | 代理人： | 王正茂,丛芳 |
| 地址： | 中国台湾桃园*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制造氧化物半导体薄膜电晶体的方法，其包含提供图案化非晶态氧化物半导体层；多晶化图案化非晶态氧化物半导体层，以形成图案化多晶态氧化物半导体层；在图案化多晶态氧化物半导体层上形成源极及漏极；提供栅极；以及提供位于栅极与图案化多晶态氧化物半导体层、源极及漏极之间的闸介电层。此方法是先形成抗蚀刻液的图案化多晶态氧化物半导体层，再形成源极及漏极。如此一来，在使用蚀刻液形成源极及漏极时，不会伤害到图案化多晶态氧化物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 氧化物 半导体 薄膜 电晶体 方法 | ||
【主权项】：
一种制造氧化物半导体薄膜电晶体的方法，其特征在于，所述制造氧化物半导体薄膜电晶体的方法包含：提供图案化非晶态氧化物半导体层；多晶化所述图案化非晶态氧化物半导体层，以形成图案化多晶态氧化物半导体层；在所述图案化多晶态氧化物半导体层上形成源极及漏极；提供栅极；以及提供位于所述栅极与所述图案化多晶态氧化物半导体层、所述源极及所述漏极之间的闸介电层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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