[发明专利]一种硅片直接键合方法

摘要

本发明公开了一种硅片直接键合方法，属于微电子技术领域。该方法是将经过清洗的抛光片，依次进行等离子激活处理、化学液清洗、低真空直接键合和退火处理，获得所需硅键合片；其中：等离子激活前的清洗是将硅片依次经过DHF、SC‑1和SC‑2清洗；等离子激活处理工艺参数为：采用N₂激活，气体压力0.1‑1mbar，激活时间1‑10s，射频功率55‑120W；采用本发明方法可以大量稳定的生产无空洞、无氧化层的硅硅键合片，可以根据不同需求选用不同电阻率的硅片进行键合，所制备的键合片可以作为超厚外延片或超厚硅片进行使用。

主权项

1.一种硅片直接键合方法，其特征在于：该方法是将经过来料清洗的硅片，依次进行等离子激活处理、化学液清洗、低真空直接键合和退火处理，获得所需硅键合片；具体包括如下步骤：(1)等离子激活处理：硅片采用N2对其进行等离子激活处理，气体压力0.1‑1mbar，激活时间1‑10s，射频功率55‑120W；(2)化学液清洗：使用120℃的HF、H2SO4和H2O2的混合溶液对硅片进行表面处理，处理时间20‑40min；然后再用去离子水冲洗干净；(3)低真空直接键合：经步骤(2)清洗后的硅片送入键合机内，在键合机内压力降至0.5‑1mbar时向硅片施加1‑3N的压力完成预键合；(4)退火处理：键合后的硅片送入退火炉进行退火处理，退火温度850‑1100℃，退火时间2‑4h。