[发明专利]一种TFT阵列基板及其制作方法、显示装置在审

专利信息
申请号: 201510481900.7 申请日: 2015-08-03
公开(公告)号: CN105097671A 公开(公告)日: 2015-11-25
发明(设计)人: 吴俊;占红明;李小龙;苗青 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司
主分类号: H01L21/77 分类号: H01L21/77;H01L21/8234;H01L27/12
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 黄志华
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种TFT阵列基板及其制作方法、显示装置,主要内容包括:在对栅绝缘层进行图案化时,在显示区域按照预设间隙形成了至少多个第一栅绝缘条,而且,每个第一栅绝缘条与相邻间隙位置处的表面膜层的高度差相等且大于。从而,该高度差可以保证后续进行一次光罩工艺,即可形成图案化、且断裂成不同高度的第一透明电极和第二透明电极,且保证第一透明电极与第二透明电极相互绝缘。在该发明的总体工艺流程中,仅需要4道光罩刻蚀工艺,就可以完成阵列基板的制作,相比现有技术而言,简化了工艺制作流程,提高了阵列基板的生产效率。
搜索关键词: 一种 tft 阵列 及其 制作方法 显示装置
【主权项】:
一种TFT阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:提供一基底;在所述基底之上形成第一图案化的栅线和公共电极线;在形成有栅线和公共电极线的所述基底之上形成第二图案化的栅绝缘层,其中,位于显示区域的栅绝缘层按照预设间隙至少形成有多个第一栅绝缘条,所述每个第一栅绝缘条与相邻间隙位置处的表面膜层的高度差相等且大于在位于有源区域的栅绝缘层之上形成第三图案化的半导体层及源、漏极;在所述显示区域形成第四图案化的相互绝缘的第一透明电极和第二透明电极,其中,在施加电压时,位于所述第一栅绝缘条之上的第一透明电极与位于相邻间隙位置处的第二透明电极形成水平电场。
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