[发明专利]一种TFT阵列基板及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 201510481900.7 | 申请日: | 2015-08-03 |
公开(公告)号: | CN105097671A | 公开(公告)日: | 2015-11-25 |
发明(设计)人: | 吴俊;占红明;李小龙;苗青 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L21/8234;H01L27/12 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 黄志华 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: |
本发明公开了一种TFT阵列基板及其制作方法、显示装置,主要内容包括:在对栅绝缘层进行图案化时,在显示区域按照预设间隙形成了至少多个第一栅绝缘条,而且,每个第一栅绝缘条与相邻间隙位置处的表面膜层的高度差相等且大于 |
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搜索关键词: | 一种 tft 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种TFT阵列基板的制作方法,其特征在于,所述方法包括:提供一基底;在所述基底之上形成第一图案化的栅线和公共电极线;在形成有栅线和公共电极线的所述基底之上形成第二图案化的栅绝缘层,其中,位于显示区域的栅绝缘层按照预设间隙至少形成有多个第一栅绝缘条,所述每个第一栅绝缘条与相邻间隙位置处的表面膜层的高度差相等且大于
在位于有源区域的栅绝缘层之上形成第三图案化的半导体层及源、漏极;在所述显示区域形成第四图案化的相互绝缘的第一透明电极和第二透明电极,其中,在施加电压时,位于所述第一栅绝缘条之上的第一透明电极与位于相邻间隙位置处的第二透明电极形成水平电场。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造