[发明专利]一种多晶硅溶液液面距定位方法在审
| 申请号： | 201510482493.1 | 申请日： | 2015-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN106435714A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 王保胜;何紫平;孙喜良;郭振宇;马卫康;翟胜涛;苏金玉 | 申请（专利权）人： | 特变电工新疆新能源股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 罗建民;邓伯英 |
| 地址： | 830011 新疆维吾尔自治*** | 国省代码： | 新疆;65 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种多晶硅溶液液面距定位方法，包括：密封单晶炉的主炉室和副炉室，对单晶炉的主炉室和副炉室抽真空，并加热坩埚内的多晶硅，在密封单晶炉的主炉室和副炉室之前，所述方法还包括：确定导流筒的下沿的位置；坩埚内的多晶硅完全熔化后，所述方法还包括：下降籽晶，并根据导流筒的下沿的位置和预设的液面距m控制籽晶下降的距离；其中，液面距m是指坩埚内多晶硅溶液液面与导流筒的下沿之间的距离；该方法可以准确定位多晶硅溶液液面距，使得多晶硅溶液液面距的定位不再依赖操作员的经验进行，提高准确性和可靠性，从而固化拉晶工艺；此外，该方法操作简单，实用性强，适用范围广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多晶 溶液 液面 定位 方法 | ||
【主权项】：
一种多晶硅溶液液面距定位方法，包括：密封单晶炉的主炉室和副炉室，对单晶炉的主炉室和副炉室抽真空，并加热坩埚内的多晶硅，其特征在于，在密封单晶炉的主炉室和副炉室之前，所述方法还包括：确定导流筒的下沿的位置；坩埚内的多晶硅完全熔化后，所述方法还包括：下降籽晶，并根据导流筒的下沿的位置和预设的液面距m控制籽晶下降的距离；其中，液面距m是指坩埚内多晶硅溶液液面与导流筒的下沿之间的距离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于特变电工新疆新能源股份有限公司，未经特变电工新疆新能源股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510482493.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种单晶炉石英坩埚的装料方法
- 下一篇：一种单晶热场梯度附加调节系统
