[发明专利]一种提高Flash擦写寿命的方法有效

专利信息
申请号: 201510482615.7 申请日: 2015-08-07
公开(公告)号: CN105159601B 公开(公告)日: 2018-12-07
发明(设计)人: 周良璋;汪烈华;侯培民;程波;张明;舒元康 申请(专利权)人: 杭州海兴电力科技股份有限公司
主分类号: G06F3/06 分类号: G06F3/06
代理公司: 杭州凯知专利代理事务所(普通合伙) 33267 代理人: 王登远
地址: 310011 浙江省杭州市*** 国省代码: 浙江;33
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摘要: 发明涉及一种提高Flash擦写寿命的方法。目的在于提供一种能够提高Flash介质擦写寿命的方法。方案:将每个Flash扇区分为128个子块,根据当前各子块的读写状态建立对应的位偏移寻址信息和擦除次数信息,将位偏移寻址信息和擦除次数信息存储于任意一个子块中,并对其进行实时更新;位偏移寻址信息占用16个字节,每个字节8位,每一位对应当前Flash扇区的一个子块的状态;读/写操作时获取当前状态下的位偏移寻址信息和擦除次数信息,根据该位偏移寻址信息对各子块进行读/写;读/写规则为,对于已写过数据但未擦除的子块,不再进行写操作;对于未写过或擦除后未写过数据的子块,不进行读操作。发明主要用于智能电子产品。
搜索关键词: 一种 提高 flash 擦写 寿命 方法
【主权项】:
1.一种提高Flash擦写寿命的方法,其特征在于包括:将每个Flash扇区分为128个子块,根据当前各子块的读写状态建立对应的位偏移寻址信息和擦除次数信息,将所述位偏移寻址信息和擦除次数信息存储于任意一个子块中,并对其进行实时更新;所述位偏移寻址信息占用16个字节,每个字节8位,每一位对应当前Flash扇区的一个子块的状态;读/写操作时获取当前状态下的位偏移寻址信息和擦除次数信息,并根据该位偏移寻址信息对各子块进行读/写;读/写规则为,对于已写过数据但未擦除的子块,不再进行写操作;对于未写过或擦除后未写过数据的子块,不进行读操作;根据当前状态下的位偏移寻址信息建立对应的字节偏移寻址信息,将其与所述位偏移寻址信息和擦除次数信息共同存储于任意一个子块中,并进行实时更新;所述字节偏移寻址信息占用2个字节,每个字节8位,每一位对应当前位偏移寻址信息中各个字节的状态;读/写操作时获取当前状态下字节偏移寻址信息和擦除次数信息,并根据字节偏移寻址信息中各个位的值获得其所对应位偏移寻址信息中各个字节的状态,然后结合当前操作和位偏移寻址信息中各个字节的状态,选择获取其中至少一个字节的位偏移寻址信息,最后根据选择的位偏移寻址信息进行读/写操作。
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