[发明专利]大功率发光二极管有效

专利信息
申请号: 201510482861.2 申请日: 2015-08-07
公开(公告)号: CN105161595B 公开(公告)日: 2018-06-19
发明(设计)人: 曹智福 申请(专利权)人: 佛山市雄飞光电有限公司
主分类号: H01L33/44 分类号: H01L33/44;H01L33/56;H01L33/64
代理公司: 北京华仁联合知识产权代理有限公司 11588 代理人: 苏雪雪
地址: 528200 广东省佛山市南海区狮*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种大功率发光二极管,包括:导电基板,其上设置有散热片,所述散热片和所述导电基板之间设置有过渡族金属氮化物薄膜层,所述散热片上设置有一层不规则厚度的低温氧化膜;发光芯片,其焊接在所述导电基板上,所述发光芯片上设置有封装构件,所述封装构件将所述发光芯片包覆,封装材料表面涂覆有光学薄膜;电极,其设置在发光芯片上,所述电极通过金线与所述导电基板连接。本发明的有益效果是散热性能好,亮度高,透光性好,有效降低光电效率衰减延长使用寿命。 1
搜索关键词: 导电基板 发光芯片 散热片 大功率发光二极管 封装构件 电极 封装材料表面 延长使用寿命 氮化物薄膜 低温氧化膜 过渡族金属 光电效率 光学薄膜 散热性能 不规则 透光性 包覆 金线 衰减 涂覆 焊接
【主权项】:
1.一种大功率发光二极管,其特征在于,包括:导电基板,其上设置有散热片,所述散热片和所述导电基板之间设置有过渡族金属氮化物薄膜层,所述散热片上设置有一层不规则厚度的低温氧化膜;发光芯片,其焊接在所述导电基板上,所述发光芯片上设置有封装构件,所述封装构件将所述发光芯片包覆,封装材料表面涂覆有光学薄膜;电极,其设置在发光芯片上,所述电极通过金线与所述导电基板连接;所述过渡族金属氮化物薄膜层为氮化铬或氮化锆;所述低温氧化膜为两层;所述低温氧化膜第一层的厚度为2‑3μm;所述低温氧化膜第二层的厚度为6‑10μm。
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