[发明专利]离子注入系统及方法在审

专利信息
申请号: 201510482868.4 申请日: 2015-08-03
公开(公告)号: CN105097400A 公开(公告)日: 2015-11-25
发明(设计)人: 田慧;侯典杰;李良坚 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01J37/317 分类号: H01J37/317
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;陈源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种离子注入系统及方法。所述离子注入系统包括:离子源模块,用于产生离子束;工艺腔,待注入离子的基板设置在所述工艺腔中,所述离子源模块产生的离子束通入所述工艺腔内,以对所述基板进行离子注入;所述离子注入系统还包括剂量探测模块,所述剂量探测模块用于对注入所述基板的离子剂量和离子均匀性进行实时探测。本发明采用剂量探测模块对基板上的离子注入剂量和均匀性进行实时检测,并将数据发送给剂量修正控制模块对离子束进行调节控制,从而实现离子注入工艺的实时监测和调控,保证了基板离子注入剂量的准确性和较好的均匀性。
搜索关键词: 离子 注入 系统 方法
【主权项】:
一种离子注入系统,包括:离子源模块,用于产生离子束;工艺腔,待注入离子的基板设置在所述工艺腔中,所述离子源模块产生的离子束通入所述工艺腔内,以对所述基板进行离子注入;其特征在于,所述离子注入系统还包括剂量探测模块,所述剂量探测模块用于对注入所述基板的离子剂量和离子均匀性进行实时探测。
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