[发明专利]一种集成SBD的增强型HEMT

摘要

本发明属于半导体技术领域，具体的说涉及一种集成SBD的增强型HEMT。本发明中源极为肖特基接触而非一般器件的欧姆接触，且源极分为两部分，一部分由源极金属形成，用以提供较高的电压阻断能力，另一部分由金属形成，用以提供更好的电流输运能力并且减低栅介质之下宽禁带半导体形成反型层所要求的栅极电压，并且提高稳定性，同时降低实现难度，另外当源极电压为正，漏极电压为负时器件构成一个SBD，具有整流能力，当器件在感性负载电路中应用时，在关断瞬间使感性负载中反向电流从集成的SBD通路得到泄放，保护了器件和整个电路安全，提高了器件和电路稳定性。

主权项

1.一种集成SBD的增强型HEMT，包括衬底(1)、位于衬底上表面的缓冲层(2)和位于缓冲层(2)上表面的势垒层(3)，所述缓冲层(2)与势垒层(3)形成异质结；所述势垒层(3)上层一侧具有与其形成欧姆接触的漏极金属(8)，其另一侧具有凹槽栅结构，所述凹槽栅结构由栅介质(5)和位于栅介质(5)中的栅极金属(4)构成；所述栅介质(5)的横截面为U型，其底部嵌入缓冲层(2)中；其特征在于，与栅介质(5)连接的势垒层(3)上层具有源极金属(6)，所述源极金属(6)与势垒层形成肖特基接触，所述栅介质(5)覆盖在源极金属(6)上表面；与源极金属(6)连接的势垒层(3)上表面具有金属(7)，所述金属(7)与势垒层(3)形成肖特基接触；所述源极金属(6)与金属(7)电气连接，所述源极金属(6)、金属(7)与漏极金属(8)和势垒层(3)形成SBD。