[发明专利]半导体晶圆的冷却方法以及半导体晶圆的冷却装置在审

专利信息
申请号: 201510484272.8 申请日: 2015-08-07
公开(公告)号: CN105374766A 公开(公告)日: 2016-03-02
发明(设计)人: 长谷幸敏;森伸一郎 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01L23/34 分类号: H01L23/34;H01L21/56
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 半导体晶圆的冷却方法以及半导体晶圆的冷却装置。将处于加热状态的半导体晶圆载置于被加热了的保持台。一边以使半导体晶圆向保持台的上方远离的方式保持该半导体晶圆一边进行冷却。在该冷却过程中,一边利用来自保持台的辐射热对被冷却的半导体晶圆的温度、使半导体晶圆的温度降低的速度以及冷却时间进行调整,一边将半导体晶圆冷却。
搜索关键词: 半导体 冷却 方法 以及 装置
【主权项】:
一种半导体晶圆的冷却方法,对被树脂片或者粘合带覆盖的半导体晶圆进行冷却,上述方法包括以下过程:载置过程,将处于加热状态的上述半导体晶圆载置于被加热了的保持台;远离过程,使半导体晶圆远离上述保持台;以及冷却过程,在使半导体晶圆远离上述保持台的状态下一边调整温度和时间一边冷却半导体晶圆。
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