[发明专利]AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法有效
申请号: | 201510484324.1 | 申请日: | 2015-08-03 |
公开(公告)号: | CN105185300B | 公开(公告)日: | 2017-07-28 |
发明(设计)人: | 蔡玉莹 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/3225 | 分类号: | G09G3/3225 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明提供的一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。该AMOLED像素驱动电路采用3T1C结构,包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、存储电容(Cs)、及有机发光二极管(OLED),并引入第二扫描信号电压(Vsel2),通过第三薄膜晶体管(T3)在复位阶段向第一薄膜晶体管(T1)即驱动薄膜晶体管的源极提供数据信号电压(VData)的初始低电位(Vini),能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压变化,减小电源电压信号的复杂度。 | ||
搜索关键词: | amoled 像素 驱动 电路 方法 | ||
【主权项】:
一种AMOLED像素驱动电路,其特征在于,包括:第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、存储电容(Cs)、及有机发光二极管(OLED);所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于第一节点(a),源极电性连接于第二节点(b),漏极电性连接于电源电压(Vdd);所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于第一扫描信号电压(Vsel1),源极电性连接于数据信号电压(VData),漏极电性连接于第一节点(a);所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接于第二扫描信号电压(Vsel2),源极电性连接于数据信号电压(VData),漏极电性连接于第二节点(b);所述存储电容(Cs)的一端电性连接于第一节点(a),另一端电性连接于第二节点(b);所述有机发光二极管(OLED)的阳极电性连接于第二节点(b),阴极电性连接于接地端;所述第一薄膜晶体管(T1)为驱动薄膜晶体管;所述电源电压(Vdd)为一恒定高电压;所述第一扫描信号电压(Vsel1)、第二扫描信号电压(Vsel2)、与数据信号电压(VData)、相组合先后对应于复位阶段(S1)、阈值电压检测阶段(S2)、阈值电压补偿阶段(S3)、及驱动发光阶段(S4);在所述复位阶段(S1),所述第一扫描信号电压(Vsel1)、与第二扫描信号电压(Vsel2)为高电位,数据信号电压(VData)为初始低电位(Vini);在所述阈值电压检测阶段(S2),所述第一扫描信号电压(Vsel1)为高电位,第二扫描信号电压(Vsel2)为低电位,数据信号电压(VData)为参考高电位(Vref);在所述阈值电压补偿阶段(S3),所述第一扫描信号电压(Vsel1)为高电位,第二扫描信号电压(Vsel2)为低电位,数据信号电压(VData)为显示数据信号高电位(Vdata);在所述驱动发光阶段(S4),所述第一扫描信号电压(Vsel1)、与第二扫描信号电压(Vsel2)为低电位,数据信号电压(VData)为参考高电位(Vref)。
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