[发明专利]AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法有效

专利信息
申请号: 201510484324.1 申请日: 2015-08-03
公开(公告)号: CN105185300B 公开(公告)日: 2017-07-28
发明(设计)人: 蔡玉莹 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: G09G3/3225 分类号: G09G3/3225
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 发明提供的一种AMOLED像素驱动电路及像素驱动方法。该AMOLED像素驱动电路采用3T1C结构,包括第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、存储电容(Cs)、及有机发光二极管(OLED),并引入第二扫描信号电压(Vsel2),通过第三薄膜晶体管(T3)在复位阶段向第一薄膜晶体管(T1)即驱动薄膜晶体管的源极提供数据信号电压(VData)的初始低电位(Vini),能够有效补偿驱动薄膜晶体管的阈值电压变化,减小电源电压信号的复杂度。
搜索关键词: amoled 像素 驱动 电路 方法
【主权项】:
一种AMOLED像素驱动电路,其特征在于,包括:第一薄膜晶体管(T1)、第二薄膜晶体管(T2)、第三薄膜晶体管(T3)、存储电容(Cs)、及有机发光二极管(OLED);所述第一薄膜晶体管(T1)的栅极电性连接于第一节点(a),源极电性连接于第二节点(b),漏极电性连接于电源电压(Vdd);所述第二薄膜晶体管(T2)的栅极电性连接于第一扫描信号电压(Vsel1),源极电性连接于数据信号电压(VData),漏极电性连接于第一节点(a);所述第三薄膜晶体管(T3)的栅极电性连接于第二扫描信号电压(Vsel2),源极电性连接于数据信号电压(VData),漏极电性连接于第二节点(b);所述存储电容(Cs)的一端电性连接于第一节点(a),另一端电性连接于第二节点(b);所述有机发光二极管(OLED)的阳极电性连接于第二节点(b),阴极电性连接于接地端;所述第一薄膜晶体管(T1)为驱动薄膜晶体管;所述电源电压(Vdd)为一恒定高电压;所述第一扫描信号电压(Vsel1)、第二扫描信号电压(Vsel2)、与数据信号电压(VData)、相组合先后对应于复位阶段(S1)、阈值电压检测阶段(S2)、阈值电压补偿阶段(S3)、及驱动发光阶段(S4);在所述复位阶段(S1),所述第一扫描信号电压(Vsel1)、与第二扫描信号电压(Vsel2)为高电位,数据信号电压(VData)为初始低电位(Vini);在所述阈值电压检测阶段(S2),所述第一扫描信号电压(Vsel1)为高电位,第二扫描信号电压(Vsel2)为低电位,数据信号电压(VData)为参考高电位(Vref);在所述阈值电压补偿阶段(S3),所述第一扫描信号电压(Vsel1)为高电位,第二扫描信号电压(Vsel2)为低电位,数据信号电压(VData)为显示数据信号高电位(Vdata);在所述驱动发光阶段(S4),所述第一扫描信号电压(Vsel1)、与第二扫描信号电压(Vsel2)为低电位,数据信号电压(VData)为参考高电位(Vref)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201510484324.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top