[发明专利]监控用于检测半导体晶片表面上的缺陷的表面检查系统的工作状况的方法有效
| 申请号： | 201510484604.2 | 申请日： | 2015-08-07 |
| 公开（公告）号： | CN105372260B | 公开（公告）日： | 2018-07-17 |
| 发明（设计）人： | F·劳贝 | 申请（专利权）人： | 硅电子股份公司 |
| 主分类号： | G01N21/95 | 分类号： | G01N21/95;G01N21/93;H01L21/66 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘佳斐 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 一种监控用于检测半导体晶片表面上的缺陷的表面检查系统的工作状况的方法，包括：提供在参考半导体晶片的检查表面上具有特定数量和尺寸和密度的缺陷的参考半导体晶片；通过利用所述表面检查系统来实施参考半导体晶片的参考检查和参考半导体晶片的至少一个控制检查，测量所述检查表面上的缺陷的位置和尺寸；识别出因为其位置而被认为是所述参考检查和控制检查的共同缺陷的缺陷；对于每个共同缺陷，确定从基于所述参考检查和控制检查的其尺寸对比所获得的尺寸差值；以及基于所确定的尺寸差值来评估所述表面检查系统的工作状况。 | ||
| 搜索关键词： | 表面检查系统 参考 半导体晶片 工作状况 检查 半导体晶片表面 检查表面 监控 检测 测量 评估 | ||
【主权项】：
1.一种监控用于检测半导体晶片表面上的缺陷的表面检查系统的工作状况的方法，包括：提供参考半导体晶片，在参考半导体晶片的检查表面上具有特定数量、尺寸和密度的缺陷；通过利用所述表面检查系统来实施所述参考半导体晶片的参考检查和所述参考半导体晶片的至少一个控制检查，测量所述检查表面上的缺陷的位置和尺寸；识别出因为它们的位置而被认为是所述参考检查和控制检查的共同缺陷的缺陷；对于每个共同缺陷，确定由基于所述参考检查和控制检查的其尺寸的对比所获得的尺寸差值；以及基于所确定的尺寸差值来评估所述表面检查系统的工作状况；其中如果所述尺寸差值的平均值位于容差通道外的尺寸间隔，则所述表面检查系统的工作状况的评估是异常的。
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