[发明专利]一种碳化硅陶瓷材料及其的制备方法有效
| 申请号： | 201510486617.3 | 申请日： | 2015-08-10 |
| 公开（公告）号： | CN106431410B | 公开（公告）日： | 2020-07-31 |
| 发明（设计）人： | 王谋华;程勇;刘伟华;张文礼;张文发;李诚;吴国忠 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海应用物理研究所 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B35/80;C04B35/64;C04B41/87 |
| 代理公司： | 上海弼兴律师事务所 31283 | 代理人： | 钟华;王卫彬 |
| 地址： | 201800 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅陶瓷材料及其制备方法。其包括如下步骤：(1)将数均分子量为300～4000的聚碳硅烷用高能射线进行辐照处理，其中，所述聚碳硅烷的吸收剂量为50～2000kGy；(2)将辐照处理后的聚碳硅烷热裂解制备得到碳化硅陶瓷材料。本发明利用原位辐照的方法制备碳化硅陶瓷材料，仅改变高分子的化学结构，不引入杂质；辐照过程完全可控，可根据原料特性进行辐照剂量控制，达到最佳效果，既能显著提高碳化硅陶瓷材料的产率、降低生产成本、缩短生产周期，又能不影响辐照后聚碳硅烷的各种成型工艺和生产过程；此外，采用本发明的制备方法制得的碳化硅陶瓷材料更加均匀，耐温性能、致密度和拉伸强度等性能进一步改善。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 陶瓷材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种碳化硅陶瓷材料的制备方法，其特征在于，其包括如下步骤：(1)将数均分子量为300～4000的聚碳硅烷用高能射线进行辐照处理，其中，所述聚碳硅烷的吸收剂量为50～2000kGy；(2)将辐照处理后的聚碳硅烷热裂解，制备得到碳化硅陶瓷材料。
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