[发明专利]发光二极管制作方法在审
| 申请号： | 201510486858.8 | 申请日： | 2015-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN105161577A | 公开（公告）日： | 2015-12-16 |
| 发明（设计）人： | 朱学亮;张洁;邵小娟;杜彦浩;杜成孝;刘建明;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了发光二极管制作方法，包括步骤：通过甲硅烷在N型层表面缺陷处形成坑洞，通过三乙基镓在相邻坑洞间凸起处生长氮化物保护层，从而增大PN结面积，使PN结在受到静电冲击时增加所能吸收的电荷，避免发光二极管被静电破坏。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】：
发光二极管制作方法，包括步骤：（1）提供一蓝宝石衬底，在衬底上沉积N型层；（2）通入甲硅烷进行处理，在N型层表面形成坑洞；（3）在相邻坑洞间的凸起上生长氮化镓保护层；（4）在氮化镓保护层上，交替生长InGaN层和GaN层，形成多量子阱发光层；（5）生长P型层，覆盖所述N型层、氮化镓保护层和发光层；其特征在于：所述步骤（2）通过甲硅烷作用在N型层上的位错缺陷处，通过扩大缺陷表面凹槽，从而实现在缺陷处形成坑洞，所述步骤（3）生长氮化镓保护层，通过三乙基镓沉积，不会产生活性的含碳反应物，能排除碳杂质的影响，避免氮化镓保护层与碳结合形成深能级缺陷而减少出光。
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