[发明专利]射频信号收发机芯片中的可变增益放大器

摘要

本发明提供的可变增益放大器能够应用于大动态范围输入信号的接收机和实现非常精确的增益步长控制，并且其受温度的影响较小。该射频信号收发机芯片中的可变增益放大器包括至少一个低三位二进制可变增益放大单元，至少一个高两位二进制可变增益放大单元，用于向低三位二进制可变增益放大单元、高两位二进制可变增益放大单元提供使能信号和相同尾电流的偏置电路；正交两路信号依次经低三位二进制可变增益放大单元和高两位二进制可变增益放大单元进行可变增益放大后输出；或正交两路信号依次经高两位二进制可变增益放大单元和低三位二进制可变增益放大单元进行可变增益放大后输出。

主权项

1.一种射频信号收发机芯片中的可变增益放大器，其特征在于：包括至少一个低三位二进制可变增益放大单元，至少一个高两位二进制可变增益放大单元，用于向低三位二进制可变增益放大单元、高两位二进制可变增益放大单元提供使能信号和相同尾电流的偏置电路；正交两路信号依次经低三位二进制可变增益放大单元和高两位二进制可变增益放大单元进行可变增益放大后输出；或正交两路信号依次经高两位二进制可变增益放大单元和低三位二进制可变增益放大单元进行可变增益放大后输出；所述偏置电路包括一个与门、NMOS管M3、NMOS管M17、三个反相器；其中模式选择信号MODE和使能信号EN先通过一个与门产生输出信号ENN，信号ENN再经过一个反相器产生输出信号ENB；输入的三位数字控制信号BI<2：0>分别通过另外两个反相器，产生三位输出数字信号BNN<2:0>；输入信号IB送到NMOS管M17的漏极，NMOS管M17的栅极接到ENN，NMOS管M17的源极与NMOS管M0的漏极和栅极，NMOS管M2，NMOS管M5，NMOS管M6,NMOS管M7的栅极，NMOS管M3的漏极，NMOS管M4的栅极接在一起，NMOS管M3的栅极接到信号ENB，NMOS管M0，NMOS管M2，NMOS管M3，NMOS管M5，NMOS管M6，NMOS管M7的源极，NMOS管M4的源极和漏极以及衬底都接在GND上，NMOS管M5，NMOS管M6，NMOS管M7的漏极分别接到NMOS管M9，NMOS管M15，NMOS管M16的源极上，NMOS管M9的栅极接信号BNN<2>,NMOS管M15的栅极接信号BNN<1>，NMOS管M16的栅极接信号BNN<0>,NMOS管M9、NMOS管M15和NMOS管M16的漏极接在一起并与NMOS管M2的漏极、PMOS管M1的栅极和漏极、PMOS管M14的栅极，PMOS管M18的栅极、PMOS管M13的栅极、PMOS管M8的栅极、PMOS管M11的栅极、PMOS管M12的栅极接在一起，PMOS管M1的源极、PMOS管M14的源极和漏极、PMOS管M18的源极和漏极、PMOS管M13的源极和漏极、PMOS管M8的源极、PMOS管M11的源极、PMOS管M12的源极全部与VDD接在一起，PMOS管M8，PMOS管M11，PMOS管M12的漏极分别连接到输出端口IB2，IB1，IB0，PMOS管M1，PMOS管M14，PMOS管M18，PMOS管M13，PMOS管M8，PMOS管M11，PMOS管M12的衬底都接VDD，NMOS管M17，NMOS管M0，NMOS管M2，NMOS管M3，NMOS管M5，NMOS管M6，NMOS管M7，NMOS管M9，NMOS管M15，NMOS管M16的衬底都接SUB，NMOS管M4的衬底接GND。