[发明专利]一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及其制作方法

摘要

本发明公开了一种薄膜晶体管、其制作方法、阵列基板及其制作方法，采用一个图案化掩膜形成包括源漏极、刻蚀阻挡层、有源层的图形，相对于现有技术中单独采用一次光刻工艺形成刻蚀阻挡层，本发明中源漏极、刻蚀阻挡层、有源层的图形采用同一个图案化掩膜进行构图工艺，可以简化薄膜晶体管的制作工艺，降低生产成本，同时本发明实施例提供薄膜晶体管的制作方法，在有源层、刻蚀阻挡层和源漏极金属层依次沉积完成之后，先进行源漏极的刻蚀工艺，在源漏极刻蚀之后再进行刻蚀阻挡层和有源层的刻蚀，可以避免源漏极金属在刻蚀阻挡层刻蚀过程中造成的过刻蚀位置的沉积导致的薄膜晶体管的短路问题，因此改善了薄膜晶体管的短路问题，提高了产品良率。

主权项

一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：在衬底基板上形成包括栅极和栅绝缘层的图形；在形成有栅极和栅绝缘层图形的衬底基板上，依次沉积有源层薄膜、刻蚀阻挡层薄膜和源漏极金属层；采用一次构图工艺，利用形成于所述源漏极金属层表面的图案化掩膜，对沉积有源漏极金属层的衬底基板进行刻蚀工艺，形成有源层、刻蚀阻挡层和源漏极的图形；所述刻蚀阻挡层的材料为掺杂有N型杂质的非晶硅材料；在衬底基板上沉积刻蚀阻挡层薄膜之后，在沉积源漏极金属层之前，还包括：对衬底基板上沉积的所述掺杂有N型杂质的非晶硅刻蚀阻挡层薄膜进行脱氢处理。