[发明专利]一种增加发射机变频线性的上变频器电路

摘要

本发明提出一种增加发射机变频线性的上变频器电路，包括本振部分、放大部分与镜像电流源，所述本振部分具由第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管组成，所述放大部分由第一NPN管、第二NPN管、第三NPN管和第四NPN管组成，所述镜像电流源由第一电流偏置管、第二电流偏置管和第三电流偏置管组成，本发明通过采用多集电极并联NPN型三极管作为上变频器的信号放大管，通过采用不同的三极管发射极面积的配比，展宽信号放大管的gm线性区间，从而实现上变频器增益的稳定和线性的增大。解决了现有上变频器在线性度上受制于MOS管的Gm线性区间过小，工艺的细微变化就会影响其上变频器线性的性能，导致产品的不稳定的问题。

主权项

一种增加发射机变频线性的上变频器电路，包括本振部分、放大部分与镜像电流源，其特征在于：所述本振部分具有第一输入端、第二输入端、第一输出端和第二输出端，其主要由第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管和第四MOS管组成，所述第一MOS管和第四MOS管的栅极共同连接至所述第一输入端，所述第二MOS管和第三MOS管的栅极共同连接至所述第二输入端，所述第一MOS管和第三MOS管的源极共同连接至所述第一输出端，所述第二MOS管和第四MOS管的源极共同连接至所述第二输出端，所述第一MOS管和第二MOS管的漏极相连接，所述第三MOS管和第四MOS管的漏极相连接；所述放大部分具有第三输入端和第四输入端，其主要由第一NPN管、第二NPN管、第三NPN管和第四NPN管组成，所述第一NPN管和第二NPN管的集电极共同连接至所述第一MOS管的漏极，所述第一NPN管和第二NPN管的基极共同连接至所述第三输入端，所述第三NPN管和第四NPN管的集电极共同连接到所述第三MOS管的漏极，所述第三NPN管和第四NPN管的基极共同连接至所述第四输入端，所述第一NPN管和第三NPN管的发射极相连接，所述第二NPN管和第四NPN管的发射极相连接；所述镜像电流源具有第五输入端，其主要由第一电流偏置管、第二电流偏置管和第三电流偏置管组成，各管的栅极共同连接至所述第五输入端，各管的漏极共连接地，所述第一电流偏置管的集电极连接至所述第五输入端，所述第二电流偏置管的集电极连接至所述第一NPN管的发射极，所述第三电流偏置管的集电极连接至所述第二NPN管的发射极；其中，所述第一输入端作为本振信号的正向输入端，所述第二输入端作为本振信号的负向输入端，所述第三输入端作为低频信号的正向输入端，所述第四输入端作为低频信号的负向输入端，所述第五输入端作为偏置电流的输入端，所述第一输出端、第二输出端对应作为上变频器电路的正、负输出；所述第一NPN管和第四NPN管的发射极面积相等，所述第二NPN管和第三NPN管的发射极面积相等，所述第一NPN管的发射极面积是第三NPN管的发射极面积的N倍，N大于2且小于50。