[发明专利]存储器元件及其制作方法在审
| 申请号： | 201510487980.7 | 申请日： | 2015-08-11 |
| 公开（公告）号： | CN106469734A | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 陈士弘 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种存储器元件及其制作方法。存储器元件包括一基板、一接地层、一叠层结构、多条存储单元串行。接地层位于基板上，其中接地层包括一金属层。叠层结构位于接地层上，且叠层结构包括交替叠层的多个绝缘层和多个导电层。多条存储单元串行穿过叠层结构而与金属层电性接触。 | ||
| 搜索关键词： | 存储器 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种存储器元件，包括：一基板；一接地层，位于该基板上，其中该接地层包括一金属层；一叠层结构，位于该接地层上，该叠层结构包括交替叠层(alternatively stacked)的多个绝缘层和多个导电层；以及多条存储单元串行，穿过该叠层结构而与该金属层电性接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
